當(dāng)前位置:首頁(yè) > 產(chǎn)品中心 > 半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備 > 1 光刻設(shè)備 > UV Litho-ACA無(wú)掩膜/激光直寫(xiě)光刻機(jī)
簡(jiǎn)要描述:無(wú)掩膜/激光直寫(xiě)光刻機(jī) 參數(shù):1. 光源:375 nm、385 nm、405 nm 激光器2. 線(xiàn)寬:0.5μm、0.6μm、1.0μm、1.5μm3. 光刻效率:可達(dá)到3000mm2/min@5μm4. XY行程:55~205mm5. 樣品尺寸:最小3mm*3mm 最大8 inch6.應(yīng)用領(lǐng)域:生物芯片、功率芯片光刻、掩膜版制造、3D衍射光學(xué)元件、*進(jìn)芯片封裝、光通訊。
產(chǎn)品分類(lèi)
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1.產(chǎn)品概述:
利用紫外光源對(duì)紫外敏感的光刻膠進(jìn)行空間 選擇性的曝光,進(jìn)而將設(shè)計(jì)好電路版圖轉(zhuǎn)移到 硅片上形成集成電路,這一工藝就是紫外光刻 技術(shù)。光刻機(jī)的分辨率和套刻精度直接決定了 所制造的集成電路的集成度,也成為了評(píng)價(jià)光 刻設(shè)備品質(zhì)的關(guān)鍵指標(biāo)。激光直寫(xiě)設(shè)備具備很 高的靈活性,且可以達(dá)到較高的精度,但由于 是逐行掃描,曝光效率較低。托托科技的無(wú)掩 模版光刻設(shè)備基于空間光調(diào)制器(DMD/DLP) 的技術(shù),實(shí)現(xiàn)了高速、高精度、高靈活性的紫外光刻。
2.產(chǎn)品參數(shù):
光源:375 nm、385 nm、405 nm 激光器
線(xiàn)寬:0.5μm、0.6μm、1.0μm、1.5μm
光刻效率:可達(dá)到3000mm2/min@5μm
XY行程:55~205mm
樣品尺寸:最小3mm*3mm 最大8 inch
應(yīng)用領(lǐng)域:生物芯片、功率芯片光刻、掩膜版制造、3D衍射光學(xué)元件、*進(jìn)芯片封裝、光通訊芯片光刻
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